LM5114 可通过 5 V 电源电压的独立源极与汲极输出(sink and source output)驱动标准 MOSFET 与 GaN FET。它具有使用较大或并行 FET 的大功率应用中所需的 7.6 A 高峰值关断电流功能。此外,提高的下拉强度还有助于该器件驱动 GaN FET。独立源极与汲极输出可取消驱动器路径中的二极管,准确控制升降时间。
TI推出高灵活低侧栅极驱动器
LM5114 低侧栅极驱动器的主要特性与优势:
-可优化升降时间的独立源极与汲极输出支持更高的效率;
-+4 V 至 +12.6 V 单电源支持各种应用;
-0.23 欧姆的开漏下拉汲极输出可避免无意接通;
-7.6 A/1.3 A 峰值汲极/源极驱动器电流可最大限度减少电压突变(DV/DT)的影响;
-匹配反相及非反相输入之间的延迟时间,可降低停滞时间损耗;
-12 ns 典型传播延迟可在提高效率的同时,支持高开关频率;
-高达 14 V 的逻辑输入(不受 VCC 影响);
--40 摄氏度至 +125 摄氏度的宽泛工作温度。
供货情况与封装
LM5114 现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商进行订购。该器件采用 6 引脚 SOT-23 封装或裸焊盘 6 引脚 LLP 封装。