欧盟宣布将增加4条先进生产线建设计划，包括发光二极管和450mm晶圆等。此前，欧盟宣布建设全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)试生产线。该五条芯片试生产线项目是欧盟于5月23日宣布的“欧洲电子策略”的一部分，共涉及来自20个国家的128个公司，总投资将超过7亿欧元，包括欧盟各成员国和工业界的投资，其中欧盟将出资1亿欧元。五个项目中的大部分从2013年启动运行，持续到2015年底结束。
五条试生产线项目分别是：
(1)AGATE试生产线：该项目由法国晶圆制造公司Soitec公司领导，包括10家公司，目标是为功率半导体器件和发光二极管生产低成本的硅基氮化镓(GaN)晶圆，计划于2015年12月结束。
(2)E450EDL试生产线，该项目由比利时微电子研究中心(IMEC)和荷兰艾司摩尔(ASML)公司领导，包括来自11个国家的43家公司，目标是为450mm晶圆验证设备、材料和前道工艺，计划于2016年9月结束。
(3)EPPL试生产线：该项目由位于德国和奥地利的英飞凌(Infineon)公司领导，包括31家公司，目标是开发功率器件用薄晶圆，计划于2016年3月结束。
(4)Lab4MEMS试生产线。主要工业试生产线分别位于ST半导体公司的两个工厂：前道工艺位于意大利的Agrate，后道工艺位于欧洲Malta，由分布在9个国家的研究中心、小企业和研究实验室共同参与支持。该项目于2013年1月启动，计划运行30个月。
(5)Places2Be试生产线。该项目为期三年，总预算3.6亿欧元(大约4.65亿美元)，促进欧洲实现FDSOI制造工艺的工业化。该项目由在FDSOI领域处于领先地位的ST公司领导，并将在ST位于法国克罗尔市的晶圆厂和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)公司位于德国德累斯顿市的第一生产厂内建立试生产线。包括23个研究单位，目标是通过解决产量和应用等挑战，以将该技术带入工业界。
欧盟副主席尼莉·克罗斯说：“我们没有任何时间可以浪费了，这些计划对实现欧洲电子策略做出了实质性的贡献。到2013年底，我希望看到工业界实现芯片制造量翻倍、生产量达全球产量20%的目标”。
为此，5月29日克罗斯主持召开了各国家和地区部长会议，欧洲主要半导体制造商和世界知名研究人员也参与其中，共同商讨策略的实施。
