中微半导体设备有限公司(简称“中微”)今日发布 Primo iDEA(TM) (“双反应台介质刻蚀除胶一体机”)-- 这是业界首次将双反应台介质等离子体刻蚀和光刻胶除胶反应腔整合在同一个平台上。Primo iDEA(TM) 主要针对2X纳米及更先进的刻蚀工艺，运用中微已被业界认可的 D-RIE 刻蚀技术和 Primo 平台，避免了因等离子体直接接触芯片引发的器件损伤(PID)，提高了工艺的灵活性，减少了生产成本，提高了生产效率并使占用生产空间更优化。
对于2X纳米及更先进刻蚀工艺的芯片来说，它们对表面电荷的积累极其敏感，并且面临着PID带来的潜在风险。Primo iDEA?可将4个等离子体反应台和2台非接触等离子体除胶反应器整合在同一台设备中，能够替代原来需要2台等离子体刻蚀机、1台除胶器、1台湿法清洗器等4个机台所加工的后端过程。这一独特的整合方法使工艺步骤得到了优化，从而避免了因等离子体接触引发的的器件损伤。此外，这一方法还大大提高了产量，减少了生产成本，并最大程度上减少了机台的占地面积。Primo iDEA?同时拥有等离子体刻蚀和非接触的等离子体源除胶功能(DSA)，是大批量生产较复杂的极小尺寸芯片中集成多步制程的最佳选择。
“Primo iDEA?目前已有多台进入先进的芯片生产线，并已证明在避免等离子体接触器件带来的损害上表现优异，同时又减少了所需机台的数量。”中微副总裁兼CCP刻蚀产品事业群总经理麦仕义说，“采用 Primo iDEA(TM) 之后，客户能够节省20%的生产成本，并获得更高的生产效率。对于某一特定的后端制程来说，客户过去需要5道工序在多种机台上完成，现在只需3道工序在一台设备上完成，总体上节省了50%的工艺加工时间。”
中微于2004年领先开发了具有独立自主知识产权的等离子体刻蚀技术。该技术具有甚高频等离子体源和低频偏置等离子体源，能够独立控制离子密度和能量，并确保芯片加工高重复性。结合中微具有独立自主知识产权的离子控制技术，它们能够共同提高芯片加工的稳定性，并进一步扩大工艺窗口。Primo iDEA(TM) 使用的除胶配套系统采用了性价比较高的双反应台腔体设计和非接触等离子体源。顶置的等离子体源所产生的活性反应物质，能均匀地传送到晶圆表面移除光刻胶，这一过程中等离子体并不会直接接触晶圆表面，这就减少了器件损伤(PID)的风险。
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