应用材料推出CMP和CVD新半导体制造系统产品
时间：2014-07-15 来源：IC乐购
加利福尼亚州圣克拉拉--应用材料公司今日宣布推出两款帮助客户解决在制造高性能、低功耗3D器件关键性挑战的全新半导体制造系统，展示了其在高尖端半导体材料工程上的专业领先地位。其中，AppliedReflexion®LKPrime™化学机械研磨抛光系统(CMP)拥有出色的硅片平整抛光性能，能让FinFET及3DNAND结构的应用达到纳米级的精度。另一款AppliedProducer®XPPrecision™化学气相淀积系统(CVD)则能满足垂直3DNAND结构对淀积的基本要求。全新的CMP和CVD设备直接解决了3D结构在精密、材料及缺陷方面的挑战，帮助其实现大批量生产。
应用材料公司半导体材料事业部执行副总裁兼总经理RandhirThakur博士表示："随着人们对移动性的需求日益增加，3D结构也日趋复杂化，因而亟需工程领域的创新。复杂的设计需要大量新技术、新材料的投入，以实现最佳的器件性能，并提高产品良率。今天我们发布的最新CMP和CVD系统，能够满足不同客户的多样需求，实现高级3D逻辑和内存芯片的量产转型。"
在3D结构中，CMP对FinFET的栅结构和NAND阶梯结构起着至关重要的作用。新器件结构的要求十分严苛，有些甚至需要增加至10个研磨抛光工序，而ReflexionLKPrimeCMP系统的设计初衷便是满足这些高要求。LKPrime设备以其先进的工艺技术，史无前例地推出6个研磨抛光站和8个清洗站步骤并配有先进的高精度工艺参数控制技术，使客户能够在硅片薄膜性能和产能方面得到显着的改善与提高。通过为ReflexionLKPrime系统增加抛光和清洗站，硅片的产出得以翻倍，生产效率提升最高可达100%。
通过独立应用每个研磨抛光站及清洗站，芯片制造商在抛光工艺上拥有了更大的灵活性，可以按不同要求提供特出工艺，精确控制薄膜抛光尺寸及平整度，减少器件缺陷及杂质。LKPrime系统包含即时参数反馈分析和抛光终点探测控制技术，能够保证硅片薄膜自身的均匀性及硅片与硅片间的可重复性，从而满足未来器件的节点要求。凭借这些优势，LKPrime系统在控制FinFET的栅高上能使硅片上所有的器件元达到纳米级的均匀性。这是一项十分重要的工艺，因为即使是FinFET栅高的一个极小变化，都会影响器件的性能和良率。对于3DNAND来讲因其拥有更厚的薄膜层和大块的表面结构，需要持久和稳定的研磨抛光工艺，多工艺加工站能为其提供稳定和可控的抛光平坦化加工。
3DNAND产业的变革也亟需针对垂直栅制作和复杂图形结构应用的先进沉积技术。ProducerXPPrecisionCVD系统通过对纳米级层结构间薄膜厚度的精密控制，达到硅片上关键尺寸的高度均匀性，从而支持3DNAND的转型。该系统性能的关键在于独一无二的精密腔体设计，并能够调整温度、等离子体、气流等关键参数。通过提供灵活的工程技术，应用材料公司能帮助客户实现卓越的应力控制和硅片内、硅片间和层结构间的均匀性，从而支持不同类型的优质、低缺陷薄膜的交替淀积，提高栅极性能，降低器件的差异率。
全新的XPPrecision系统专为批量生产而设计，将已应用于实际生产中的ProducerCVD技术与更高效快捷的工艺腔技术相结合。此外，该系统采用全新的模块化主机结构和高速设计理念，进一步提高了产出密度、降低了设备的持有成本。XPPrecision系统大幅优化了精密淀积效果，在提高产量的基础上，使图案结构和多层式薄膜堆叠实现更薄、更优的材料，从而应对3DNAND结构不断缩小的趋势。
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