全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，2013年第四季DRAM产出虽受到SK海力士(Hynix)无锡厂大火影响而有略减，但因供货吃紧反而造成平均销售单价劲扬，因此当季全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美元，较上一季成长近5%。同时，前两大DRAM供应商的获利能力较上季皆有提升，其中获利差异点取决于各DRAM厂标准型记忆体的供给多寡。
TrendForce研究协理吴雅婷表示，就2013年第四季合约价格走势做观察，由于9月SK海力士受祝融波及而影响当下出货，DRAM4GB合约均价最高来到34美元价位，较火灾发生前上涨约二成，供货不足下主要PCOEM厂纷纷转向三星(Samsung)及美光(Micron)要求紧急供货，亦是这波价格上涨受惠最多的厂商。
其中三星受惠于25奈米制程开始放量，供货最充足，所以盘据成交价的高价部位;美光次之;SK海力士则为了避免客户流失，将合约价格放低，成为这波涨价潮当中受惠最小的供应商。总计2013年DRAM总产值达到34.4亿美元，年成长率约三成。
从全球DRAM厂自有品牌记忆体市占比例来观察，三星半导体与SK海力士半导体各为39%与24%，两者差距再进一步拉大;其中三星维持原先策略，标准型记忆体比重进一步提升，并意图持续扩大行动式记忆体对外采购比重。
由于三星的25奈米已经顺利量产出货，相较于SK海力士的29奈米以及美光的30奈米，显然成本结构领先同业水准，在2014年平均销售单价可能缓跌的前提下，三星的营业利益仍旧可以维持20%水位，无疑为产业获利最高的厂商。
SK海力士受无锡厂大火影响，其市占由2013年第三季的28.5%，微幅下降至23.8%，营业利益也约略减少约5%;然而TrendForce指出，该公司倾全力恢复产出，预计产能流失的冲击可望在今年首季全面恢复。
在本次第四季营收市占报告中，TrendForce第二次将美光与日商尔必达(Elpida)合并计算，综合市占为28.7%，正式超越SK海力士成为排名第二。除此之外，同时受惠于价格上扬与成本下降两项因素，营业利益的成长超过10%，为产业之冠。
美光集团2014年目标为逐渐导入尔必达技术为主的20奈米，预计正式量产时程约落在年末，若站在标准型记忆体的角度观察，新美光集团的产出比例将占总产业的三分之一强，对该市场的影响力将大幅增加。
台系厂部分，南科也积极转进30nm制程，其投片量已来到总产能近八成，即使第四季停止从华亚科取得晶圆，在营收上仍有9.5%的季成长。力晶在DRAM营收上仅有6%的成长，除了力晶已转型为代工业务为主外，去年下半年启动的P3厂DRAM业务，也是属于代工性质，不受DRAM价格波动影响，亦无法带动DRAM营收继续往上攀升。
华邦则是受到火灾转单效应与传统旺季需求，营收成长约9.7%，其中利基型记忆体的成长约为11%，行动式记忆体也有5%的成长，今年华邦除了提升投片量至38K外，提升46nm制程转进比重亦是今年的重点，生产成本降低将有助第一季的获利表现。
从市场面来观察，TrendForce认为SK海力士无锡厂的复工状况为牵动未来价格走势的最主要关键;由于每年首季都是需求淡季，加上产出增加(三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士无锡厂复工)，TrendForce仍维持原先的预估，价格将呈现缓跌态势，而跌幅将随着旺季来临而趋缓。
后续获利能力的持盈保泰将有赖于制程转进，而产业供给面将有赖各DRAM厂商共同维持，不贸然进行扩厂计划;在以上前提成立之下，2014年的DRAM总产值可望进一步提升，并在后20nm时代来临之前为各家带来稳定的获利。
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