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东芝公司日前宣布，该公司将与GlobalFoundries合作生产东芝的FFSA™(Fit Fast Structured Array)产品。东芝将通过GlobalFoundries晶圆厂的生产扩大其FFSA™业务。首批产品将采用GlobalFoundries 65nm-LPe和40nm-LP工艺制造，并计划将合作范围扩展到该公司的28nm“高电介质金属栅极”(High-K Metal Gate, HKMG)技术。
东芝的FFSA™产品是与美国的BaySand Inc共同开发而成，只需定制一些金属层的设计就可以进行配置。定制流程保证了开发周期比采用传统的ASIC设备大幅缩短，并满足了对高性能、高规格和低功耗技术日益增长的市场需求。在产品寿命周期前所未有缩短的时代，可用的开发时间非常珍贵，能够满足要求且实现在试产即将开始前进行参数微调的解决方案提高了开发者的自由度和灵活性。
东芝意识到，缩短生产周期和布局设计期以便为客户提供生产周期非常短暂的样品非常重要。与GlobalFoundries合作实现的灵活反应可以保证这一点，并使东芝能够从接手设计开始，在五周内生产出样品，该时间是传统ASIC设备所需时间的五分之一。
东芝公司副总裁兼东芝半导体&存储产品公司执行副总裁Masakazu Kakumu表示：“FFSA™产品系列是我们主要的战略性大规模集成电路(LSI)之一。我们决定与GlobalFoundries合作生产FFSA™晶圆，因为它使我们实现了对FFSA™的工程样品和大批量生产都极为重要的较短生产周期。它还保证了我们能够获得高质量、高产量和高容量。”
GlobalFoundries全球销售高级副总裁Chuck Fox表示：“我们很高兴能够成为东芝FFSA™产品的主要晶圆代工厂。对于许多公司来说，如如今的系统级芯片(SoC)开发成本正在变得越来越难以承受，而东芝的FFSA™技术只需定制一些互连金属层，就能够大幅降低开发成本，缩短制造周期。”
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