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AON7900是一个30V的双重非对称N沟道MOSFET

时间：2013-10-26 来源：IC乐购

Alpha & Omega Semiconductor 的 AON7900 设计用于提供具有最佳布局和板空间利用率的高效同步升压功率级。它包含两个采用双电源 DFN 3.3 x 3.3 封装的专用 MOSFET。 Q1“高压侧”MOSFET 用于最大程度地降低切换损耗。 Q2“低压侧”MOSFET 用于实现较低的 RDS(ON)，以降低传导损耗。 AON7900 非常适合用于紧凑型 DC-DC 转换器应用。

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