STMicroelectronics的第6代STripFET DeepGATE系列功率MOSFET
时间：2013-10-17 来源：IC乐购
STMicroelectronics 扩展了其采用称为 DeepGATE™ 的工艺的 40 V 至 80 V MOSFET。 这种工艺可让设计人员获得平面工艺结合类沟槽式结构的优势。 最终实现更高能效和更高密度的设计。 某些 MOSFET 采用以前推出的称为 H2PAK 的高电流封装。 40 V 至 80 V MOSFET 产品组合将不断发展和继续扩张。
