该套件支持多种有可能在14纳米节点应用的技术,包括FinFET器件和极紫外光刻技术。它包含了器件紧凑模型,寄生参数提取,设计规则,参数化单元(P-单元),和基本的逻辑单元,IMEC指出。
14纳米PDK作为IMEC Insite合作研究项目的一部分而开发,曾有报道称Altera公司、NVIDIA公司与美国高通公司都是该项目的参与者。但在这份新闻稿中,宣布14纳米PDK时并没有讨论到哪些公司参与了Insite项目。
IMEC的研究伙伴目前可获得这个开发工具包的使用权,将来还可以进行后续的更新。IMEC和其合作伙伴正在使用该工具包开发14纳米测试芯片,预计将在2012年下半年发布,IMEC表示。 IMEC拥有一座300毫米研究晶圆厂,其中包括EUV步进光刻机。这是世界上极少有的可以尝试生产14纳米测试芯片的设施。
这套PDK的主要用途之一是帮助公司开发FinFET器件工艺。与传统的平面晶体管技术相比,这些鳍状的晶体管位于晶圆表面,能以很低的电源电压驱动较大面积电路单元,且性能更高。该PDK的一些革命性,还在于有望引进高迁移率沟道材料的使用。这些材料包括锗、化合物半导体材料和石墨。这套PDK还支持浸没式光刻和EUV光刻技术,为从193纳米浸没式逐步过渡到EUV光刻技术开辟了道路。
今年下半年将推出的测试芯片将可进行性能和功耗的物理测量,以及设备、互连、工艺和光刻假定的初次测试。