新产品中，“Xeon Phi协处理器7120P”和“Xeon Phi协处理器7120X”这两款的性能比5110P高，内核数量为61个，比5110P多一个(未公布集成的内核种类是否相同)。工作频率为1.238GHz(使用智能加速技术时为最大1.333GHz)，比5110P的1.053GHz略高。双倍精度运算峰值达到1.2TFLOPS，也比5110P的1.011TFLOPS略高。热设计功率最大300W，比5110P的225W略大。 Xeon Phi协处理器的首款产品是2012年11月发布的“Xeon Phi协处理器5110P”。5110P配备的MIC处理器芯片采用22nm Fin FET工艺制造。此次发布的第二代Xeon Phi协处理器共有5款，同样配备了采用22nm Fin FET工艺制造的处理器芯片。
采用现行工艺的产品达到6款
最大差异在于配备的内存的容量，7120P/7120X的内存是5110P的两倍，达到16GB，改善了5110P中被视为弱点的内存容量。建议定制价格为4120美元，远远高于5110P的2649美元。估计7120P将采用与5110P相同的封装来提供，7120X直接以板卡形式提供。
另外3款产品中，“Xeon Phi协处理器3120P”和“Xeon Phi协处理器3120A”这两款的性能比5110P要低，内核数量为57个(未公布内核种类是否不同)，工作频率为1.1GHz，双倍精度运算峰值性能为1.0TFLOPS，热设计功率最大300W，内存容量为6GB，建议定制价格为1695美元。估计3120P将采用与5110P相同的封装来提供，3120A采用带冷却扇的封装来提供。
最后一款产品是“Xeon Phi协处理器5120D”，内核数量及工作频率等与5110P相同。热设计功率最大245W，建议定制价格为2759美元，比5110P略高。5120D高密度封装在比5110P小的板卡上，估计是设想直接安装在服务器基板上使用。
准备大幅改善内存带宽
Xeon Phi协处理器的下一代产品“Knights Landing”(开发代号)将采用14nm FinFET工艺制造。与以上介绍的采用现行工艺的Xeon Phi协处理器一样，除了以封装在PCI Express板卡上的形式提供之外，还将以能够作为主处理器使用的形式提供。用作主处理器时，插入主板的CPU插槽中使用，可同时处理主处理器的工作负荷和被卸载(Off-Load)的协处理器的工作负荷。这样一来，在经由PCI Express的数据传输方面，便可摆脱复杂的编程。
另外，英特尔还表示，Knights Landing为了大幅提高内存带宽，将选用集成到封装上(On Package)的DRAM内存。
