东芝公司(Toshiba Corporation) 日前宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
特性
1. 采用了第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻
2. 实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比(Cgd/Cgs)，有助于预防自启动现象
东芝公司(Toshiba Corporation) 日前宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
特性
1. 采用了第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻
2. 实现了较低的内部门极电阻和较低的门极电容比(Cgd/Cgs)，有助于预防自启动现象
