报告起因
国内上市公司纷纷涉足宽禁带半导体,我们从三大维度看好:实现国家战略层面的弯道超车:半导体行业实现技术升级以及股票层面将形成板块效应,我们此前的三安光电报告是市场第一篇详细描述化合物半导体的深度报告。此行业报告也是市场上领先的深度梳理宽禁带半导体行业的报告。
核心观点
宽禁带半导体材料性能突出,有望替代Si 基半导体:电和光的转化性能突出,在微波信号传输方面的效率更高,可被广泛应用到照明、显示、通讯等各个领域。
碳化硅将在功率器件领域快速发展,市场空间上百亿美元:1)SiC 器件将在功率器件领域快速发展:具有小型化、能量损耗低,使用效率高,抗辐射、抗干扰、高可靠等性能。全球功率器件市场空间近120亿美元,且到2020年CAGR 达65%。2)SiC 功率器件应用广泛:可广泛应用于汽车、机车以及工业领域中的PFC(功率因数校正器)、电源单元、UPS(不间断电源)、DC/DC(直流转直流)转换器和逆变器等器件。SiC 材料的功率器件有望替代Si IGBT,主要增长驱动力是EV/HEV 汽车。3)成本的下降将带动行业的发展,市场空间有数十倍增长:到2020年SiC 器件价格将下降50%,预计SiC 功率元件销售额将从2013年的0.8亿美元大幅增加到2020年的8亿美元,且光伏和新能源车逆变器将占主导地位,进一步缩减系统体积与重量。4)外企在SiC 领域占主导地位,但中国环境逐渐培育成熟:Cree 占SiC晶圆制造市场90%以上,Cree 和英飞凌在SiC功率器件市场合计占85%以上份额,中国虽然当前在SiC 领域市占率低,但SiC 的各环节已逐渐培育起来,随着环境的成熟,有望实现较好发展。
GaN 是微波放大和电能转换领域理想的材料,潜在市场规模大于150亿美元:1)可用于军工雷达、探测器等,消费电子PA,通信的基站建设,汽车功率半导体,以及工业、太阳能发电、风电领域的控制器、逆变器等。2)随着4G 网络的发展,对高功率晶体管和基站的需求预计将增加,因此,通讯设备行业对氮化镓功率半导体的需求将以最快的速率增长。3)考虑GaAs(第二代半导体)、GaN 在内的化合物半导体,由于化合物半导体研发起步晚、生产技术难度大,目前国内较少有企业能够掌握生产技术,主要由美国、台湾等公司主导,并限制向中国的技术输出。4)高门槛和较为温和的竞争状况带来较高的毛利率水平,Cree 化合物半导体产品毛利率在50%以上。
投资建议与投资标的
我们看好宽禁带半导体行业的投资机会,其中扬杰科技(300373,未评级)是进军SiC 市场新星,弹性大;三安光电(600703,买入)是GaAs 和GaN 半导体领头军,当前估值安全;南大光电(300346,未评级)是特种气体平台,稀缺性强,也建议关注海特高新(002023,未评级)。
风险提示
宽禁带半导体行业发展低于预期;上市公司相关业务发展低于预期。
