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    在Galaxy S6搭载最高128GB储存容量后，三星似乎也计画让更多手机也能享有大容量，稍早宣布将推出以eMMC 5.0技术为基础，同时最高储存容量达128GB的3-bits-per-cell NAND Flash储存元件，并且对应每秒达260MB读取速度表现，预期将使中阶规格以下手机产品，以及多数记忆卡产品能在成本预算内有更大储存容量选择。

    根据三星公布消息，预计将推出以eMMC 5.0技术为基础，同时最高储存容量达128GB的3-bit NAND Flash储存元件，同时读取速度表现将达每秒达260MB。虽然整体不比搭载于Galaxy S6系列机种的UFS规格有更高存取效能，但此次推出的新款NAND Flash储存元件提供在成本预算内有更大储存容量选择，并且保有一定存取效能的使用特性。

　　目前三星并未说明此项产品将在何时供货，但预期未来将使中阶规格以下手机产品，以及多数记忆卡产品能在成本预算内有更大储存容量选择。