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    存储器产业掀起策略联盟风潮,仅有NAND Flash产品线的东芝(Toshiba)一直寻找DRAM策略联盟伙伴,其与台厂南亚科洽谈合作案逾1季,近期传出破局,南亚科将回头向母公司台塑集团寻求财务支援,希望能获得资金转进20纳米制程技术,台塑则看好DRAM市场,传将支援南亚科将部分12吋晶圆厂产能转进至20纳米制程。


    全球DRAM大厂三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)都手握DRAM和NAND Flash两大关键零组件产品线,全球存储器大厂只有东芝产品线略显单薄,仅握有NAND Flash芯片产品线,遂自2014年下半起与南亚科洽谈策略联盟案,希望能结合南亚科旗下DRAM技术发展多芯片封装(MCP)产品。


  不过,由于南亚科旗下12吋厂6万片产能若全数转进20纳米制程技术,至少需投资新台币500亿~600亿元,业界传出南亚科向东芝提出10亿美元的策略联盟入股计划,但东芝认为投资额太大,加上配套条件谈不拢,使得策略联盟计划破局。


  半导体业者表示,DRAM和NAND Flash产品应用及景气循环步调不同,拥有双产品线比较可以避开单一产品景气波动,并可发挥相互加乘效应,进军更大应用市场,目前东芝在NAND Flash市场实力深厚,东芝与南亚科策略联盟传出破局,对于三星阵营而言可说是松了一口气。


  半导体业者透露,东芝作风一向保守,当初南亚科提出与东芝策略联盟计划时,业界即保守估计此案成局机率仅5成。不过,南亚科若能与东芝策略联盟,不仅可让双方DRAM、NAND Flash及MCP芯片等产品线互补及拉长战线,未来可能扩大至新世代存储器MRAM芯片合作。


  南亚科过去曾与美光合作开发20纳米制程技术,后来南亚科因为营运转型而放弃研发,但美光仍让南亚科保留技术授权机会,然有时间限制,目前南亚科仍希望能转进20纳米制程,可能转而向台塑集团寻求资金奥援,或是另寻其他合作伙伴,分散台塑的投资风险。


  根据南亚科规划,目前12吋厂碍于资金限制,仅部分产能将转进到20纳米制程,由于其他阵营存储器大厂包括三星、海力士都已转进20纳米制程,2015年将陆续量产,恐带给DRAM市场不小的价格压力。


  至于NAND Flash产业正进入1x纳米制程世代,目前TLC型NAND Flash芯片已成为业界主流,包括三星、东芝等大厂都积极将TLC芯片导入固态硬碟(SSD)应用,使得SSD及智能型手机跃居NAND Flash芯片最主要应用领域。