半导体工艺迈过20nm大关之后，各大巨头似乎都被1Xnm工艺忙得焦头烂额。前有台积电16nm连续跳票、第三季度才能量产，后有三星14nm FinFET工艺克服此前问题刚刚上道。而近日在半导体工艺遥遥领先的英特尔也有些力不从心，Intel CEO科再奇近日的谈话暗示，英特尔10nm‘还在继续研究，尚未确立时间表’。
据悉，如果按照原先的Tick-Tock发展模式，后续进展顺利的话，Intel应该在2016年底推出10nm工艺新品，据说代号为“Cannonlake”，取代这两年的14nm Broadwell/Skylake，但情况极为不乐观。而根据科柯再奇近日的公开谈话暗示，意味着10nm新品2016年底面世的可能性不大。
半导体工艺老大英特尔进展缓慢，紧随的小弟更是如此。近来关于台积电16nm Fin FET工艺进展不顺的风言风语很多，比如说设备安装推迟到下半年，大规模量产可能得等明年了，迫使高通、苹果两大客户纷纷投靠三星14nm Fin FET。
在近日的投资者大会上，台积电董事长张忠谋也承认，2015年的Fin FET技术市场上，台积电将会输给三星，但在2017-2018年，台积电将会实现反超。他同时披露说，已经有50多名客户利用台积电16nm Fin FET工艺完成了新品流片工作，大多数会在2015年第三季度投入量产，新工艺也将在第四季度贡献5-10%的收入。
这基本就表明了，2015年中量产已经不可能，而从收入比例上看，所谓的第三季度量产也仅仅是个开始，真正成熟最快也得今年底，和此前的推测基本相符。
看来不仅仅GPU制造工艺进展缓慢，连英特尔的CPU工艺也开始逐渐放缓了。由于芯片制造工艺的拖延放缓，恐怕提高处理器性能的唯一手段就是从架构上面改善了。毕竟工艺只是一个代工过程，架构设计的好才是真材实料。
