联电积极扩充28奈米产能，预计今年中月产能可达2万片，28奈米毛利率将达平均水准。此外，联电已建置月产能约3,000片的14奈米生产线，预计第2季进行第2代14奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程试产，若下半年客户产品陆续完成设计定案(tape out)，明年将开始拉升产能进入量产阶段。
联电去年第4季28奈米投片大增，包括高通、联发科等5家客户晶片进入量产，并有逾10家客户完成设计定案并展开试产，也让28奈米占去年第4季营收比重正式突破5%。联电已积极进行扩产，预估今年中可将28奈米月产能扩增至2万片规格，届时28奈米毛利率就可达平均毛利率水准，下半年28奈米占营收比重就可望突破10%。
此外，台积电、三星今年开始量产FinFET制程，联电也催足马力，力拚2016年14奈米FinFET制程进入量产。联电建置约3,000片的14奈米制程生产线，开始试产并对客户送样，预计第二代14奈米FinFET制程将在第2季进入试产阶段，由于客户下半年陆续完成晶片设计定案，若一切顺利，可望提前在2016年就直接进入量产。
联电过去都是自行研发先进制程，但因28奈米以下技术研发费用太过庞大，所以联电在2012年与IBM签订授权协议，合作开发14奈米FinFET制程。而随着制程技术开发完成，联电今年除了扩大28奈米产能，自然也加快14奈米进入量产的速度，如今看来，联电跳过20奈米直接跨入14奈米的策略，的确成功拉近与竞争对手台积电、三星的差距。
