第二代WideI/O(WideI/O2)标准千呼万唤始出来。联合电子装置工程协会(JEDEC)辖下的固态技术协会(SolidStateTechnologyAssociation)日前正式发布WideI/O2标准--JESD229-2。相较于第一代规格，WideI/O2介面的传输速率将显着攀升，同时保留WideI/O矽穿孔(TSV)架构的垂直堆叠封装优势，有助打造兼具出色速度、容量与功率特性的行动记忆体，满足智慧型手机、平板电脑、掌上型游戏机等行动装置的需求。
JEDEC低功耗记忆体JC-42.6小组委员会主席HungVuong指出，WideI/O2行动动态随机存取记忆体(DRAM)介面是一项突破性的技术，也是在2012年发布的WideI/O标准之延伸。
事实上，除了WideI/O2介面之外，JEDEC在8月下旬亦发布第四代低功耗双倍资料率(LPDDR4)记忆体标准。Vuong进一步表示，随着这两项标准相继问世，JEDEC为开发者提供一系列的行动记忆体解决方案，从而实现最大的灵活性;水平架构的记忆体设计可选择LPDDR4标准，垂直架构则有WideI/O2介面支援;而无论是哪种解决方案，都能提供符合现今市场需求的记忆体效能。
据了解，与第一代WideI/O规格相比，WideI/O2提供四倍的记忆体频宽(68GB/s)，在1.1伏特(V)电压供应下，有更低的功耗、更好的每瓦频宽(Bandwidth/Watt)表现。从封装的角度来看，WideI/O2晶粒(Die)是以系统单晶片(SoC)形式堆叠，藉此最小化功耗以及占用空间(Footprint)。
JEDEC指出，固有的垂直堆叠架构能允许WideI/O2介面在四分之一的I/O速度下，实现优于LPDDR4DRAM四倍的频宽。
JEDEC董事会主席MianQuddus补充，行动装置的革新持续推动市场上对于新一代储存方案的需求，进一步刺激能以更小的外型，提供更高效率、低耗能的解决方案问世;他指出，JEDECJC-42.6小组委员会未来仍将致力于提供一系列行动记忆体的解决方案，期能确实切合产业界现今和未来的真正需求。
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