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半导体制程设备厂商美商应材副总裁暨台湾区总裁余定陆昨天表示，看好未来物联网(IoT)资料相连需要运用大量的电子元件，他预估，2018年全球将建置50万片3D鳍式场效晶体管(FinFET)产能，3DNAND产能也将达100万片规模，因此将掀起一波硬件投资的新热潮。
余定陆分析，行动装置的应用不断推陈出新，象是健康照护与保全等，都出现资料必须同步至云端储存或运送的需求。储存与传送这些庞大资料所需的基础设备的建置，都成为带动商机成长的机会。
他说，由于行动装置得具有轻薄短小、低耗电与高功率的需求，象是2D的应用基本上已无法装下更高密度的晶体管，半导体业界纷转向发展3D新技术，如3D储存型快闪存储器(NANDFlash)等。
余定陆指出，由于晶圆代工厂今年扩大资本支出，以及28纳米与20纳米制程兴起，带动应材业务大幅成长，预期2014年全球晶圆厂的设备支出将增加10%至20%。
至于DRAM部分，他则认为今年低耗能行动DRAM出货量大约可成长6成，迹象显示企业界开始展开PC汰换更新的周期，使得DRAM投资持续增加，预期2014年DRAM整体硬件设备支出将增加约3成。
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