日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的Si8851EDB TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET荣获《电子产品世界》杂志的2013年度电源产品奖。
《电子产品世界》年度电源产品奖评选已经举行了11年，面向全球的电源供应商征集参选产品。五个门类的最佳产品奖和最佳应用奖的获奖产品是通过在线投票，以及《电子产品世界》的编辑、专家和工程师的严格评审选出的。Vishay的Si8851EDB能够在便携式计算设备中显著提高效率和节省大量空间，被授予“功率元器件”类之最佳应用奖。
Vishay Siliconix Si8851EDB是业内首个采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V MOSFET，具有极低的导通电阻，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下的导通电阻分别低至8.0mΩ和11.0mΩ。与最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比，Si8851EDB的高度低50%，在4.5V栅极驱动下的导通电阻几乎只有前者的一半，单位封装尺寸的导通电阻低37%。Si8851EDB的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm MOSFET的导通电阻，外形尺寸则小56%，单位封装尺寸的导通电阻低30%以上。
Si8851EDB的高度只有0.4mm，适用于平板电脑、智能手机和笔记本电脑的电源管理应用中的负载和电池开关。器件的低导通电阻使设计者能够在电路里实现更低的压降，从而更有效地使用电能，延长电池使用时间，同时其小尺寸占位可节省宝贵的PCB空间。
2013年度电源产品奖在深圳举行的《电子产品世界》“绿色电源与电源管理技术研讨会”上向获奖企业颁发。
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