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   过去,高压(HV)分立器件和产品开发需要经过一系列漫长的过程,在该过程多种技术通过利用TCAD*、制造与封装物理部件、进行测量及展开迭代校准周期得以开发。


  由于设计人员采用SPICE而非TCAD模拟应用电路,因此通常在技术开发后期(即基于硅的SPICE模型最终可用时)才进行应用仿真并对其进行校准。当技术发生任何变化或调整,都要求相应的分立SPICE模型在可用于应用仿真之前进行新一轮的TCAD仿真、器件制造以及测量。

  现在,新开发的基于物理、可扩展SPICE模型集成了工艺技术,位于设计流程的最前沿。凭借SPICE模型,设计人员可先模拟产品性能再进行器件制造,这样就能缩短设计和制造周期,进而降低成本并加快产品上市时间。

  Fairchild已推出可扩展的物理SPICE级模型,适用于下列高压分立技术:

  IGBT(FS沟道650 V)

  超结FET(600 V和800 V SuperFET® MOSFET)

  高压二极管(STEALTH™ I、II型二极管和HyperFast系列二极管)

  Fairchild高压SPICE模型是一种适用于整个技术平台的物理模型,能够追踪布局和工艺技术变更,并非根据每个器件尺寸以及工艺变化而开发的独立分立器件模型库。

  Fairchild全球销售与应用部门高级副总裁Chris Allexandre表示:“Fairchild专注于提供出色的高压设计平台。这些全新的SPICE模型不仅可实现虚拟原型设计,而且有助于我们的客户更快速地解决问题、开发新产品并在最短时间内上市。这也表明我们恪守承诺,为客户提供价值可观的优质服务。” 

 

 

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