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EPC2014:第二代40V eGaN® FET

EPC 的 eGaN FET 具有极其出色的高电子迁移率和低温系数,可实现非常低的 RDS(ON),同时其横向设备结构和多数载流子二极管可提供极低 QG 与零 QRR。

    EPC2014 eGaN FET 是一种 1.87 mm²、40 VDS、10 A 设备,为栅极施加 5 V 电压时,可得到最大 RDS(ON) 16 mΩ,最大 QG 2.8 nC。
 
    与带最新型带有类似导通电阻的硅功率 MOSFET 相比,EPC2014 体积更小巧,开关性能更卓越,要超出前者许多倍。 
 
    eGaN FET 的出色性能可让多种应用受益,包括高速 DC-DC 电源、负载点转换器、D 类音频放大器,以及硬开关的高频电路。

特性

  • 超高效率
  • 超低 RDS(ON)
  • 超低 QG

应用

  • 高频 DC DC 转换
  • D 类音频
  • 硬开关的高频电路

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Maxim零件编号 描述 PDF
EPC2014 TRANS 40V 16MO BUMPED DIE