EPC 的 eGaN FET 具有极其出色的高电子迁移率和低温系数，可实现非常低的 RDS(ON)，同时其横向设备结构和多数载流子二极管可提供极低 QG 与零 QRR。
EPC2014 eGaN FET 是一种 1.87 mm²、40 VDS、10 A 设备，为栅极施加 5 V 电压时，可得到最大 RDS(ON) 16 mΩ，最大 QG 2.8 nC。
与带最新型带有类似导通电阻的硅功率 MOSFET 相比，EPC2014 体积更小巧，开关性能更卓越，要超出前者许多倍。
eGaN FET 的出色性能可让多种应用受益，包括高速 DC-DC 电源、负载点转换器、D 类音频放大器，以及硬开关的高频电路。
