EPC 的 eGaN FET 具有极高电子迁移率和低温度系数，可实现较低的 RDS(ON)，而其横向器件结构和多载流子二极管具有超低的 QG和零 QRR。
EPC2016 eGaN FET 是 3.4 mm² 100 VDS、11 A 器件，具有 16 mΩ 的最大 RDS(ON) 和 5.2 nC 的最高 QG，栅极电压 5 V。
EPC2016 与先进的硅功率 MOSFET 相比，具有类似导通电阻，而尺寸却要小得多，并且具有出色的开关性能。
能够受益于 eGaN FET 性能的应用包括高速 DC-DC 电源、负载点转换器、D 类音频放大器、功率无线传输、射频包络跟踪以及硬切换和高频电路。
