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Cree的10W RF功率GaN高电子迁移率晶体管

Cree CGH40010 是一款无与伦比的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 CGH40010 采用 28 V 电源轨工作,可为各种 RF 和微波应用提供通用宽带解决方案。 GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽特性,因此 CGH40010 是线性和压缩放大器电路的理想之选。 该晶体管可提供螺旋法兰式和焊接药丸式封装。

特性

  • 工作频率高达 6 GHz
  • 2.0 GHz 时具有 16 dB 小信号增益
  • 4.0 GHz 时具有 14 dB 小信号增益
  • 13 W 典型 PSAT
  • PSAT 时具有 65% 能效

应用

  • 私人对讲机
  • 宽带放大器
  • 蜂窝基础设施
  • 测试仪器
  • A 类、AB 类线性放大器

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Maxim零件编号 描述 PDF
CGH40010P TRANS 10W RF GAN HEMT 440196
CGH40010F TRANS 10W RF GAN HEMT 440166 PKG
CGH40010F-TB BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40010