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Cree 的 CGH55030F2 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专用于实现高能效、高增益和宽带宽功能。这使得 CGHV27200 非常适合用于 2.5 -2.7 GHz LTE 和 BWA 放大器应用。 该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
