IPDiA 的耐极端温度硅电容器适合要求在高达 250°C 极端工作温度范围内工作的各种应用。 XTSC 系列的性能业界领先，采用 1206 封装，具有 1 µF 电容，在 -55°C 至 +250°C 整个温度范围内 TC 小于 1.5%。 该技术还具有极其微小的电容老化损耗和稳定的绝缘电阻（即使在极高温度下也如此），在整个工作温度范围内具有稳定的电容值。 IPDIA 硅电容器的密度与基于 X7R 的电容器相当，性能与基于 COG/NP0 的电容器相同， 而可靠性却比同类电容器技术（例如钽电容器或 MLCC）高近 10 倍，且消除了破裂现象。 符合 RoHS 规范，兼容无铅回流焊接工艺。
