IPDiA 的耐高温硅电容器专为要求在高达 200°C 温度时保持高可靠性的应用而设计。 IPDIA 硅电容器的密度与基于 X7R 的电容器相当，性能与基于 COG/NP0 的电容器相同。 在 -55°C 至 +200°C 整个温度范围，HTSC 电容器具有市场上最高的稳定性和小于 ±1% 的温度系数。 IPDiA 技术的可靠性比同类电容器技术（例如钽电容器或 MLCC）高出 10 倍，且消除了破裂现象。 硅电容器技术还可在整个工作电压和温度范围内实现极其稳定的电容值，并具有稳定的高绝缘电阻。 这些硅电容器符合 RoHS 规范，并兼容无铅回流焊接工艺。
