International Rectifier 的 IR1167S SmartRectifier 是一款专为驱动 N 沟道功率 MOSFET 而设计的次级侧驱动器 IC，可用作隔离式反激转换器中的同步整流器。这款 IC 可控制一个或者多个并联 N-MOSFET，能模拟肖特基二极管整流器工作特性。漏源电压通过差分方式检测，以确定电流极性，并在接近零电流转换点接通或者断开电源开关。利用先进的消隐技术和双脉冲抑制功能实现了坚固性和抗噪能力，从而保证该器件在连续、不连续和临界电流模式以及恒频、变频模式下均能可靠运行。
IR1167 SmartRectifier IC 采用 IR 的专有 HVIC 技术，使其能兼容所有 MOSFET 栅极类型，直接连接到 IR 广泛的 30 V 至 200 V SR MOSFET。与 IRF7853、IRFB4110 和 IRFB4227 等具有优化导通电阻和栅极电荷特征的 IR MOSFET 配套使用时，IR1167 SmartRectifier IC 的优势会得到进一步增强。这些经过优化的 MOSFET 与 IR1167 配套使用时作为一个“整体芯片组解决方案”，以继续最大限度地提高 SR 电路的能效和功率密度。SmartRectifier 技术的功耗仅为 SR MOSFET 的一半。
