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IR 的 1200 V IGBT 具有更高的功率密度，提高了电机驱动和 UPS 应用的效率。 这些器件与软恢复、低 Qrr 二极管一起封装，具有 10 µs 的最小额定短路时间。 这些器件具有较低 VCE(on) 和低开关损耗，同时具有更高的系统效率和稳固的瞬态性能，从而提高了系统可靠性。
