International Rectifier 的 IRFH4251D 和 IRFH4253D 是其首个针对 DC-DC 同步降压应用的创新电源块器件系列，具体应用包括电信和网络通讯设备、服务器和图形卡，以及台式电脑、Ultrabook（超极本）和笔记本电脑。
25 V IRFH4251D 和 IRFH4253D 在全新封装中内置了 IR 的最新一代硅器件，并通过这种 5 x 6 mm PQFN 封装确立了功率密度新基准。 这款全新电源块器件采用集成式单片 FETKY®以及运用了最前沿翻模技术的创新封装，能够有效地将同步 MOSFET 源产生的热量直接传递至 PCB 的接地层。 由于具有更高的热性能和功率密度，一个全新的 5 x 6 双器件可取代两个 5 x 6 的标准单器件。 新的封装还采用了已在 PowIRStage® 和 SupIRBuck® 产品中使用的 IR 专有单铜夹。 该封装还采用了优化布局，能显著降低杂散电感，以减小峰值振铃效应。 这样，设计师就能选择 25 V MOSFET 替代能效较低的 30 V 器件。
IRFH4251D 和 IRFH4253D 针对 5 V 栅极驱动应用进行了优化，能和任何控制器或驱动器配合使用以提高灵活性，且相比采用两个分立 30 V 功率 MOSFET 的同类方法，又能在小型封装中实现更高的电流、能效和频率。
