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ON Semiconductor推出用于高能效电源转换的高性能场截止IGBT

ON Semiconductor 的绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用坚固的高性价比场截止 (FS) 沟槽式结构,拥有苛刻的开关应用所需的优异开关性能。 这款 IGBT 实现了低导通电压和最小开关损耗,非常适用于谐振或软启动开关应用。 器件内含一个坚固的组合封装型飞轮二极管,具有低正向电压。

特性

  • 使用沟槽实现低饱和电压,采用场截止技术
  • 低开关损耗降低了系统的功率耗散
  • 低栅极电荷
  • 5 [1] s 短路能力

应用

  • 逆变器焊机
  • 微波炉
  • 工业开关
  • 电机控制逆变器

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Maxim零件编号 描述 PDF
NGTB15N120LWG IGBT 1200V 15A FS1 TO-247-3
NGTB20N120LWG IGBT 1200V 20A FS1 TO-247-3
NGTB25N120LWG IGBT 1200V 25A LPT TO-247-3