Toshiba 的 600 V DTMOSIV 超级结 (SJ) MOSFET 具有超低 RDS(ON)，是一种理想的开关器件，适用于同时需要高速、高效和低 EMI 噪声的开关电源、微逆变器、适配器、光伏逆变器和其它电源应用。
超级结 MOSFET 具有超低导通电阻，且无功率损耗损失。 Toshiba 在其最新系列高速、高效 600 V 功率 MOSFET 中采用了全新 DTMOSIV 工艺，相对同核心尺寸的第三代 DTMOS 产品，额定导通电阻值降低了 30%。
其优势是设计人员现在可以选择采用 TO-220SIS 封装 RDS(ON) 仅为 0.065 Ω 的 600 V MOSFET，或选择采用 TO-247 封装 RDS(ON) 低至 0.04 Ω 的类似器件。
除了降低导通电阻外，DTMOSIV 工艺还允许 Toshiba 最大限度地提升 MOSFET 输出电容（Coss)，以优化在轻负载条件下开关电源的操作。 优化的栅漏电容 (Cgd) 改进了 DV/DT 开关控制，同时优化的 RDS(ON)*Qg 品质因数支持高能效开关。 通过支持更低的 DV/DT 额定值，DTMOSIV 还降低了高速开关电路中的 EMI 噪声。
