1 2 3

IC乐购

现货查询

来自Toshiba的超低RDS(ON)、600V超级结MOSFET

Toshiba 的 600 V DTMOSIV 超级结 (SJ) MOSFET 具有超低 RDS(ON),是一种理想的开关器件,适用于同时需要高速、高效和低 EMI 噪声的开关电源、微逆变器、适配器、光伏逆变器和其它电源应用。 

    超级结 MOSFET 具有超低导通电阻,且无功率损耗损失。 Toshiba 在其最新系列高速、高效 600 V 功率 MOSFET 中采用了全新 DTMOSIV 工艺,相对同核心尺寸的第三代 DTMOS 产品,额定导通电阻值降低了 30%。
 
    其优势是设计人员现在可以选择采用 TO-220SIS 封装 RDS(ON) 仅为 0.065 Ω 的 600 V MOSFET,或选择采用 TO-247 封装 RDS(ON) 低至 0.04 Ω 的类似器件。 
 
    除了降低导通电阻外,DTMOSIV 工艺还允许 Toshiba 最大限度地提升 MOSFET 输出电容(Coss),以优化在轻负载条件下开关电源的操作。 优化的栅漏电容 (Cgd) 改进了 DV/DT 开关控制,同时优化的 RDS(ON)*Qg 品质因数支持高能效开关。 通过支持更低的 DV/DT 额定值,DTMOSIV 还降低了高速开关电路中的 EMI 噪声。

特性

应用

立即购买

Maxim零件编号 描述 PDF
TK6A60W,S4VX MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
TK7P60W,RVQ MOSFET N CH 600V 7A DPAK
TK10P60W,RVQ MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK