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低RDS(ON)P沟道MOSFET

随着移动产品所用电池容量的增加,充电电流也在增加。 该产品采用最新 UMOS VI  工艺制造,以使产品能在 2.0 mm × 2.0 mm × 0.75 mm 小型封装 (UDFN6B) 实现低导通电阻,允许通过大电流。 该器件非常适用于如智能手机等移动设备的充电开关。

特性

应用

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Maxim零件编号 描述 PDF
SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
SSM6J503NU,LF MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
SSM6J505NU,LF MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B