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来自Fairchild的30V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor 推出 30 V 集成式 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 和肖特基二极管。 该器件专门设计为单封装解决方案,用于蜂窝手持设备和其它超便携应用中的电池充电开关。 该产品是一款具有较低导通电阻的 MOSFET,独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小导通损耗。 MicroFET 2 X 2 mm 封装由于其物理尺寸较小,因此热性能卓越,非常适合于线性模式应用。

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