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FDMQ86530L四通道MOSFET

FDMQ86530L 解决方案集成四个 60V N 沟道 MOSFET 并采用 Fairchild 的 GreenBridge™ 技术,降低了常规二极管桥接器的传导损耗并提高了效率,从而将功耗提升了 10 倍。 该器件采用热增强、节省空间型 4.5 x 5.0 mm MLP 12 引线封装,省去了散热片的使用,设计更紧凑,从而增加了 12 V 和 24 V AC 应用的功率转换效率。 

    过热往往发生在高清、紧凑型、有源桥接应用领域,如网络摄像机过热可能导致图像质量问题。 同样,热感应噪声也可以影响系统的图像传感器,从而也会降低相机的图片品质。 控制热波动的典型散热解决方案会使这些复杂的设计更加复杂,因为需要增加元件数并造成板空间更加杂乱。 Fairchild Semiconductor 的 FDMQ86530L 60 V 四通道 MOSFET 为设计人员提供了全一体式封装,帮助他们应对这些关键的设计挑战。 

特性

应用

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Maxim零件编号 描述 PDF
FDMQ86530L MOSFET N CH 60V 8A MLP4.5X5