ROHM 的 1200 V 碳化硅 MOSFET 高频率工作期间具有低损耗特性。 尤其在与 Si IGBT 开关比较时，损耗降低达 90%，减小了芯片尺寸和成本。 此外，与晶体缺陷有关的工艺经过改进和器件结构经过优化，确保了器件的高可靠性。 ROHM 还提供业内首款碳化硅 MOSFET，在同一封装中集成了可实现低正向电压的 SiC-SBD，使之非常适合逆变器等应用。
| Maxim零件编号 | 描述 | |
| SCH2080KEC | MOSFET SIC 1200V 35A TO-247 |  |
| SCT2080KEC | MOSFET SIC 1200V 35A TO-247 |
