Vishay/Siliconix 的 SiA436DJ 8 V、N 沟道 TrenchFET 功率 MOSFET 专为节省便携式电子产品中的宝贵 PCB 空间而设计。 对于这些器件，MOSFET 的导通电阻比前代解决方案小 18%，相对基底面积为 2 mm x 2 mm 的最接近的同类竞争产品 N 沟道器件，其导通电阻最多可小 64%。 除降低负载开关的压降以避免不必要的欠压闭锁外，这种超低导通电阻还可降低传导损耗，从而实现更低的功耗。 SiA436DJ 的导通电阻额定值低至 1.2 V，不仅简化了电路设计，而且支持 MOSFET 与手持设备中常见的低电压电源轨配合工作，从而延长两次充电之间的电池工作时间。
