Vishay Siliconix 的 SiB456DK 和 SiA416DJ 是业内首批 100 V、n 沟道器件，分别采用紧凑的 1.6 mm x 1.6 mm 基底面热增强型 PowerPAK® SC-75 封装和 2 mm x 2 mm 基底面 PowerPAK SC-70 封装。 这两款器件的导通电阻分别小于 200 mΩ 和 100 mΩ。
这些 MOSFET 均针对以下方面经过优化：电信砖式负载点应用中的升压转换器、低功耗 DC/AC 逆变器和初级侧开关、微型 DC/DC 转换器，以及便携式设备中的 LED 照明。 对于设计人员来说，这些器件超紧凑的 PowerPAK SC-75 和 PowerPAK SC-70 封装为这些应用节省了 PCB 空间，而低导通电阻则意味着更低导通损耗，可实现更低功耗和更高能效。 此外，MOSFET 的额定导通电阻的额定电压可低至 4.5 V，简化了栅极驱动器。
SiB456DK 和 SiA416DJ 均经过 100% Rg 和 UIS 测试。 MOSFET 满足 JEDEC JS709A 规定的无卤素要求以及 RoHS 2011/65/EU 指令的要求。
