Vishay Siliconix 推出 8 V、n 沟道 TrenchFET® 功率 MOSFET，具有内业低至 20 mΩ 的较低导通电阻（4.5 V 时）。这些器件以芯片尺寸提供，采用 MICRO FOOT®、1 mm x 1 mm 和 1.6 mm x 1.6 mm 封装。
对于低导通电阻比空间更重要的应用，Vishay 的 8 V n 沟道 Si8424CDB TrenchFET 功率 MOSFET 提供最大 20 mΩ 的导通电阻。 器件带有 4.5 V 栅极驱动，采用 1.6 mm x 1.6 mm x 0.6 mm CSP MICRO FOOT 封装。
这款 4.5 V 时最大导通电阻为 43 mΩ、尺寸小至 1 mm x 1mm x 0.55 mm Si8466EDB 8 V n 沟道 MOSFET 可用于空间要求高的应用。
Si8466EDB 和 Si8424CDB 是 MICRO FOOT 系列的最新扩展。
