Vishay 的Si7655DN、−20 V、P 沟道 MOSFET，3.3 mm × 3.3 mm 封装，最大栅极驱动电压为 4.5 V 时导通电阻仅 4.8 mΩ。Si7655DN 也首款采用新版本 Vishay Siliconix PowerPAK ® 1212 封装的器件，实现了更低 RDS(on)，同时外形薄了 28%，标称厚度仅 0.75 mm ，并保持相同的 PCB 焊盘布局。
| Maxim零件编号 | 描述 | |
| SI7655DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212 |  |
