Vishay/Siliconix 宣布推出一系列具有超低最大导通电阻和宽额定电流范围的 600 V 和 650 V n 沟道功率 MOSFET。E 系列 MOSFET 以 Vishay 的新一代“超级结”技术为基础，具有超低栅极电荷和较低栅极电荷与导通电阻乘积，这是功率转换应用中 MOSFET 的关键品质因数 (FOM)。
Vishay 的 E 系列 600 V 和 650 V n 沟道功率 MOSFET 采用“超级结”技术，不仅能够实现极高的效率与功率密度，还能在宽额定电流范围内提供更低的输入电容，并加快开关速度。此系列 MOSFET 在 10 V 条件下具有 64 mΩ 至 190 mΩ 的超低最大导通电阻，比相同芯片尺寸的前一代 S 系列器件低 30%。这一低导通电阻特性意味着器件的导电损耗极低，因而可在高功率、高性能开关模式应用中节省能量。E 系列提供有 TO-220、TO-220 FullPAK、TO-247 和 TO-263 (D²PAK) 封装形式，可为功率转换应用提供超低栅极电荷以及较低的栅极电荷与导通电阻乘积 FOM。
