Vishay 推出采用超紧凑 PowerPAK® SC-70 封装的第三代 TrenchFET® P- 沟道功率 MOSFET，进一步扩大了该产品阵容。 Vishay Siliconix 的这款 MOSFET 专为节省便携式电子设备的空间和提高其能效而设计，能在 2 x 2 mm 基底面内、在 4.5 V 和 10 V 栅极驱动下，使 12 V、20 V 和 30 V（12 V VGS 和 20 V VGS）器件拥有业内最低的导通电阻。
用于电源管理中的负载和电池开关以及同步降压转换器应用中的控制开关时，12 V SiA467EDJ 拥有仅为 13 毫欧姆的极低导通电阻 (4.5 V)。 20 V SiA437DJ 的导通电阻低至 14.5 毫欧姆 (4.5 V)，30 V SiA449DJ 和 SiA483DJ 的导通电阻也很低，分别为 20 毫欧姆 (10 V) 和 21 毫欧姆 (10 V)。 此外，SiA437DJ 和 SiA467EDJ 具有 30 A 大额定电流，可用于存在高浪涌电流的负载开关应用。
