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STMicroelectronics的第6代STripFET DeepGATE系列功率MOSFET

STMicroelectronics 扩展了其采用称为 DeepGATE™ 的工艺的 40 V 至 80 V MOSFET。这种工艺可让设计人员获得平面工艺结合类沟槽式结构的优势。最终实现更高能效和更高密度的设计。某些 MOSFET 采用以前推出的称为 H2PAK 的高电流封装。 40 V 至 80 V MOSFET 产品组合将不断发展和继续扩张。

特性

更低 RDS(on)
更低 Q g（栅极电荷）
额定雪崩

应用

电机控制
DC/DC 转换器
电池电动工具

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Maxim零件编号	描述	PDF
STB120N4F6	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STB120N4LF6	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
STD120N4F6	MOSFET N-CH 40V 80A DPAK