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RF功率晶体管HF/VHF/UHF N-沟道MOSFET

采用 STAC 和 MR(防潮)封装的全新 50 V 垂直 MOSFET 系列属于高功率 RF DMOS 晶体管,设计用于半导体加工、薄膜沉积以及分析、医疗和科研应用中的高应力等离子发生器应用。 与业内同类器件相比,该系列产品拥有最高击穿电压和耐用性。 该系列产品展示了优异的 RF 增益和功率饱和性能、更高的击穿电压、更出色的坚固性和可靠性(更高的 MTTF),成为一款高性能、高性价比解决方案。 这些器件扩大了 ST 业内最优的 50 V-100 V 垂直 DMOS 系列产品的阵容。

特性

应用

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Maxim零件编号 描述 PDF
SD4933 TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177