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STMicro 的 MDmesh™ V 功率 MOSFET 产品组合具有广泛的击穿电压，从 -500 V 至 1500 V 不等，具有低栅极电荷和低导通电阻，采用先进的封装。 ST 针对高电压和低电压 MOSFET 的工艺技术增强了功率处理能力，从而实现了高效率的解决方案。
