IXYS Corporation 推出 Q3 类 HiPerFETTM 功率 MOSFET 系列。 此次推出的器件具有 200 V - 1000 V 的额定漏源极电压和 10 A - 100 A 的额定漏极电流，兼具出色的功率切换性能、增强的器件耐用性和较高的能源效率，为最终客户提供了广泛的功率切换解决方案选择。
Q3-Class 是直接改进自 IXYS 最新的 PolarHV 技术平台，为市场提供的一种具备基准电气和热学特性的功率切换解决方案。 这些器件融合并优化了低导通电阻 (Rdson) 和低栅极电荷 (Qg) 特性，从而显著降低了器件的导电和切换损耗。 此外，这些器件还具有较低的栅漏极电荷和栅极电阻，从而通过更快的切换操作来降低切换损耗，以及降低栅极驱动功耗。
使用 Q3 类 MOSFET 后，诸如 (HF) 等离子发生器、射频 (RF) 切换模式电源和 HF DC-DC 转换器等高频切换应用都将从中受益。 许多工业应用都能充分利用这些新产品所具有的超级切换性能、节能效果和抗噪能力，其中最显著的例子就是用于等离子加热、钢板加热、硬化和缝焊的工业电源。 此外，提升的额定 dV/dt 和高雪崩能量特性也为工业高压切换应用中所遭遇的压力提供了更大的安全余量，从而改善这些系统的长期可靠性。
