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XYS现推出SMPD封装Q3 HiPerFETT功率MOSFET

IXYS 现推出表面贴装功率器件 (SMPD) 封装版 1000 V、30 A Q3 类 HiPerFET™ 功率 MOSFET。 使用标准拾取贴装和回流焊接工艺,可以将该器件轻松地表贴到印刷电路板 (PCB) 上。 无需昂贵的螺丝、电缆、汇流条或手焊触头。 其重量仅 8 g,比传统的同类功率模块轻得多(一般要轻 50%),有助于最终用户实现更低的碳足迹。 这是 IXYS Corporation 在为“清洁技术”行业开发重量更轻的新产品时采取的关键“绿色”举措之一。

    MMIX1F44N100Q3 MOSFET 采用新的紧凑型、高性能 SMPD 封装,具有低封装电感和高电流处理能力。 该器件采用带有散热型电气隔离耳片的直接铜焊 (DCB) 基板技术,实现了 2500 V 的陶瓷隔离。

特性

应用

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Maxim零件编号 描述 PDF
MMIX1F44N100Q3 MOSFET N CH 1000V 30A