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利用Micron的RLDRAM®存储器可以实现更低延迟的存储器

Micron 的低延迟型 DRAM (RLDRAM®) 是一款高性能存储器,结合了高密度、高带宽、类似 SRAM 的快速随机存取特性,可满足网络、图像处理和缓冲应用的需求。 这款精心制作的存储器解决方案在恒定高带宽方面甚至超越了尖端的 DDR3 技术,并将随着我们第三代 RLDRAM 存储器的推出日臻完美。

特性

应用

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Maxim零件编号 描述 PDF
MT44K32M18RB-125 IC RLDRAM3 576MBIT 168FBGA
MT44K32M18RB-093E:A IC RLDRAM3 576MBIT 168FBGA
MT44K16M36RB-093:A IC RLDRAM3 576MBIT 168FBGA