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Microchip的SRAM和NVSRAM系列提供了一种轻松添加外部RAM的方式

Microchip 的全新串行 SRAM 系列提供了一种几乎适用于任何应用,又成本低廉、操作简单的外置 RAM 添加方法。 相比传统并行 SRAM,这些 8 引脚串行器件的功耗更低,所用 I/O 连接数量更少。 此外,利用这些器件,设计人员可以使用更小的微控制器,而无需仅仅为了获得更大的板载 RAM 而改用更大的器件。 零写入周期时间使这些器件非常适合于将图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频和其它数据密集型功能卸载至独立 SRAM。 与标准 SPI 相比,SDI 和 SQI 允许使用 2 倍和 4 倍数据速率。 Microchip 的 SPI 兼容型串行 SRAM 器件有 64、256、512 和 1024 Kb 四种容量供用户选择。 这些器件以低功耗实现高速性能,非常适合需要更大 RAM 的嵌入式应用。 

    此外,这些 512 Kb 和 1 Mb 器件还具有 Vbat 引脚用于电池备份,因此当外部电池或超级电容器连接到该引脚时,使器件具有非易失性。 这些串行 NVSRAM 器件具备无限使用寿命和瞬时写功能,对于诸如量表、 黑盒和数据记录器之类应用特别有用。

特性

应用

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