NXP Semiconductors 的低饱和电压双晶体管采用 2 mm x 2 mm DFN（分立平坦无引线）封装。 15 个新类型产品均采用无引线 DFN2020-6 (SOT1118) 扁平封装，集电极电压 (VCEO) 为 30 V、60 V 或者 120 V。
低至 60 mV 的超低饱和电压有助于实现高能效和更长的电池寿命。 集电极电流 (IC) 可达 2 A，该器件可处理高达 3 A 的峰值电流。 DFN 封装高度仅 0.6 mm 且具有出色的热功率性能（Ptot= 1 W），可用于更换如 SO8 或 SOT457 等许多种大型晶体管封装。 这些产品既是空间受限的应用的最佳解决方案。 这种双晶体管通过了 AEC-Q101 标准的汽车级产品认证。 NXP 的低 VCEsat 晶体管产品组合现包括 36 种采用无引线和标准 SMD 封装的晶体管，以及一系列高达 500 V、7 A.的单晶体管型产品（含 250 多个类型）。
