Cypress Semiconductor 的串行 F-RAM（铁电体 RAM）存储器集非易失性数据存储与快速 RAM 于一体。 串行 F-RAM 具有范围为 4 Kb 至 2 Mb 的存储密度、SPI 和 I²C 接口和行业标准封装。 串行 F-RAM 相对传统非易失性存储器具有三个明显优势：写入速度快（无写入延迟）、近乎无限的使用寿命以及低能耗。
串行 F-RAM 提供全接口速度快速写入。 串行 F-RAM 没有任何写入延迟；数据即时非易失性。 传统非易失性存储器数据变为非易失性前有 > 5 ms 的延迟。 如果电源掉电，挂起的数据就会丢失，除非系统具有额外电容或电池保持系统直到数据存储成功。
串行 F-RAM 具有近乎无限的 1014 次读/写循环寿命。 传统的非易失性存储器的读写循环次数通常小于 106，迫使系统设计人员使用复杂的损耗平衡例程和高达 4 倍的密度，来延长存储器的使用寿命。
串行 F-RAM 消耗低至 300 µA 的活动电流和 6 µA 的待机电流。 凭借快速写入能力，串行 F-RAM 保持活动的时间期较短，因此产生的能耗非常低。 传统的非易失性存储器存在写入延迟，必须长时间保持活动状态，致使能量消耗较高。
只需很小的固件改动，串行 F-RAM 就可以成为引脚对引脚和基底面兼容的 EEPROM 替代品。
